Томские ученые создают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

Томск. 24 июля. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Физики Томского госуниверситета (ТГУ) совместно с АО НПФ "Микран" создают мощные транзисторы с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT) для изделий гражданского, оборонного и космического назначения, сообщает пресс-служба вуза во вторник.

"Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов. Функциональные характеристики могут быть улучшены за счет нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались", - цитирует пресс-служба научного руководителя проекта Валентина Брудного.

По его словам, в настоящее время для транзисторов с высокой подвижностью электронов используются полупроводники, которые обеспечивают высокие рабочие частоты, но имеют малые выходные мощности из-за особенностей их электронных свойств.

Применение полупроводниковых нитридов для производства транзисторов позволит увеличить их удельную мощность, повысить термическую стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям.

В процессе изготовления транзисторов летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Суммарная толщина всех слоев составит несколько микрометров, что в десятки раз меньше диаметра человеческого волоса.

Работы по созданию НЕМТ на основе нитридных соединений индия-алюминия-галлия идут в ряде фирм во всем мире, но их промышленное производство в настоящее время отсутствует.

По окончании проекта ТГУ подготовит технологическую документацию для передачи "Микрану", который приступит к промышленному выпуску таких НЕМТ-транзисторов.

Разработка идет в рамках федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы", ее сумма составляет 300 млн рублей из которых 150 млн рублей - субсидия Минобрнауки РФ, вторая половина - вложение индустриального партнера.

Окончание намечено на декабрь 2019 года.

Томский государственный университет был открыт в 1888 году, став первым университетом в азиатской части России. ТГУ занял седьмое место в Национальном рейтинге университетов 2018 года, подготовленном Международной информационной группой "Интерфакс", поднявшись на одну строчку по сравнению с предыдущим годом.

"Микран" производит широкий спектр радиоэлектронного оборудования - от радиорелейных станций и заканчивая СВЧ-электроникой и монолитными интегральными схемами. Предприятие поставляет продукцию как на российский, так и на зарубежные рынки, включая европейский - посредством купленной в 2014 году итальянской Youncta.