Новосибирск. 3 октября. ИНТЕРФАКС - Лаборатория имплантерных ионных источников организована в Институте ядерной физики им.Г.И.Будкера СО РАН в рамках проекта по созданию молодежных лабораторий министерства науки и высшего образования РФ, сообщает издание СО РАН "Наука в Сибири" со ссылкой на пресс-службу института.
"Ее программа включает решение различных фундаментальных задач: изучение взаимодействия ионного пучка с материалами, получение ионных пучков с ультрамалым эмиттансом (фазовым объемом пучка, показателем, обратно пропорциональным яркости - ИФ) и вопросы их транспортировки в электродинамических системах. Результаты научных исследований могут быть использованы в развитии микроэлектронной промышленности России", - говорится в сообщении.
Метод ионной имплантации основан на внедрении в твердое тело, например, в пластину полупроводника, ионизированных атомов и молекул с заранее заданной энергией.
Отмечается, что последние 30 лет микроэлектронная промышленность всего мира развивается именно благодаря имплантерным технологиям, установки для реализации подобной технологии называются "ионные имплантеры", важным элементом которых являются ионные источники.
"ИЯФ СО РАН имеет большой опыт в создании различных ионных источников, которые в свое время разрабатывались и создавались в институте как для полупроводниковой промышленности, так и для экспериментов в области физики плазмы, и для развития методов ускорительной масс-спектрометрии", - говорится в сообщении.
В частности, до 1990-х годов специалисты ИЯФ разрабатывали целую линейку протонных источников по заказу министерства электронной промышленности, которые использовались для создания при помощи пучка протонов изоляционного слоя на кремниевой подложке.
По словам заведующего лабораторией имплантерных ионных источников кандидата физико-математических наук Владислава Склярова, коллектив молодежной лаборатории будет использовать весь накопленный в ИЯФ СО РАН опыт в области ионных источников, что позволит эффективно решать поставленные задачи.
"Основной задачей нашей лаборатории в ближайшее время является создание стенда испытаний ионных источников, на котором могут проводиться работы по исследованию различных режимов работы. На основании полученных результатов возможно дальнейшее улучшение разрабатываемых приборов", - отмечает Скляров.
Он уточнил, что в рамках работы с ионными пучками возникает много вопросов уже не технического, а фундаментального характера: получение ионных пучков с малым эмиттансом, транспортировка ионных пучков в электродинамических системах, улучшение технологий создания систем масс-сепарации.
Создание источников ионов лежит на стыке физики плазмы, физики ускорителей заряженных частиц, а также силовой электроники. По этой причине в лабораторию имплантерных ионных источников ИЯФ СО РАН входят специалисты из разных подразделений в области физики плазмы, ВЧ-разрядов, ускорительной техники (в особенности расчетов магнитных элементов, необходимых для формирования правильных параметров пучка), силовой электроники и систем управления.
Массовое отравление школьников произошло в Красноярске
