Новосибирск. 29 августа. ИНТЕРФАКС - Сотрудники лаборатории металлорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов Института неорганической химии им.А.В.Николаева СО РАН (ИНХ) разрабатывают технологии получения высокочистых соединений титана, циркония и гафния для создания элементов микроэлектроники, сообщает издание СО РАН "Наука в Сибири".
"Ученым удалось получить лабораторные образцы соединений целевой квалификации по содержанию примесей и разработать технологии очистки. На данном этапе они развивают применения полученных соединений и готовятся к масштабированию производства", - говорится в сообщении.
Отмечается, что источники металлов необходимого качества уже представлены на внутреннем российском рынке, однако существует проблема доступности специфических реагентов для синтеза, в частности, некоторых органических соединений, а также отсутствия отечественных установок для осаждения.
"Другое направление - альтернативные энергонезависимые источники памяти, альтернативы нашим флешкам. По сравнению с флеш-технологией они обладают большим ресурсом записи и меньшим энергопотреблением. Эти источники сейчас только развиваются и формируются по миру, и если мы хотим включаться в это направление, то нам потребуются тонкие пленки на основе оксидов гафния, титана и циркония", - отмечает заведующая лабораторией металлорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов ИНХ СО РАН кандидат химических наук Евгения Викулова.
Соединения редкоземельных металлов используют при создании наноструктур элементов микроэлектроники, для изготовления микросхем чипов и процессоров уже сейчас востребованными являются тонкие пленки нитрида титана.
